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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
5,021.4
17.2
写入速度,GB/s
2,135.0
15.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3461
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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