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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
7.7
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,135.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
39
读取速度,GB/s
5,021.4
7.7
写入速度,GB/s
2,135.0
6.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
1768
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
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