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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
5,021.4
16.0
写入速度,GB/s
2,135.0
10.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3026
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
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