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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
51
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
38
读取速度,GB/s
5,021.4
14.0
写入速度,GB/s
2,135.0
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2055
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
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