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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
51
左右 -38% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
37
读取速度,GB/s
5,021.4
14.4
写入速度,GB/s
2,135.0
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2179
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
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