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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
51
左右 -42% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
36
读取速度,GB/s
5,021.4
16.0
写入速度,GB/s
2,135.0
12.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2353
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
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