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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
62
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
30
读取速度,GB/s
4,670.6
16.1
写入速度,GB/s
2,378.6
12.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3026
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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