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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
62
左右 -182% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
22
读取速度,GB/s
4,670.6
17.6
写入速度,GB/s
2,378.6
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3060
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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