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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
62
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
33
读取速度,GB/s
4,670.6
17.1
写入速度,GB/s
2,378.6
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3312
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
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Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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