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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
62
左右 -121% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
28
读取速度,GB/s
4,670.6
18.5
写入速度,GB/s
2,378.6
15.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3704
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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