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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
62
119
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
1.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2.0
2,378.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
119
读取速度,GB/s
4,670.6
1.8
写入速度,GB/s
2,378.6
2.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
447
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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