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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
62
左右 -77% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
35
读取速度,GB/s
4,670.6
15.1
写入速度,GB/s
2,378.6
11.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
2631
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Jinyu 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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