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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
62
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
32
读取速度,GB/s
4,670.6
15.7
写入速度,GB/s
2,378.6
13.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3247
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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