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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.9
16.1
写入速度,GB/s
8.4
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
3026
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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