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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.9
21.3
写入速度,GB/s
8.4
17.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
4251
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
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