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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.9
12.9
写入速度,GB/s
8.4
5.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
2051
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
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