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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.9
17.6
写入速度,GB/s
8.4
18.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
3872
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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