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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
46
读取速度,GB/s
13.9
12.5
写入速度,GB/s
8.4
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
2325
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
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