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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.9
18.2
写入速度,GB/s
8.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
3501
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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