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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
13.9
10.3
写入速度,GB/s
8.4
6.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
1851
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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