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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
14.5
15.7
写入速度,GB/s
13.5
11.8
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2750
2767
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
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