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Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
比较
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
总分
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
总分
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
77
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,546.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
34
读取速度,GB/s
2,631.4
15.3
写入速度,GB/s
1,546.2
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
406
3041
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB RAM的比较
Corsair CM2X1024-6400 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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