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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,001.3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
4,796.5
16.7
写入速度,GB/s
2,001.3
14.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
3324
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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