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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,001.3
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,796.5
19.9
写入速度,GB/s
2,001.3
17.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
3972
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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