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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
83
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
2,001.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
83
读取速度,GB/s
4,796.5
14.3
写入速度,GB/s
2,001.3
7.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
1752
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAM的比较
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BD186D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
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