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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.3
2,001.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,796.5
11.8
写入速度,GB/s
2,001.3
5.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
1884
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAM的比较
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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