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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

总分
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

总分
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

差异 规格 评论

差异

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 65
    左右 -124% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 4.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 8500
    左右 2.51 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    6.1 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    4.2 left arrow 8.4
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    985 left arrow 2513

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较

Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
内存RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
内存RAM
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-890.A00LF 8GB
Kingston 9905403-890.A00LF 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
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