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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
65
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
37
读取速度,GB/s
6.1
14.7
写入速度,GB/s
4.2
11.9
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2946
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
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