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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
65
左右 -306% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
16
读取速度,GB/s
6.1
21.7
写入速度,GB/s
4.2
17.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3872
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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