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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
30
读取速度,GB/s
6.1
16.9
写入速度,GB/s
4.2
13.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3050
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
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