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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
65
左右 -171% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
24
读取速度,GB/s
6.1
16.0
写入速度,GB/s
4.2
11.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2843
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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