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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

总分
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

总分
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

差异 规格 评论

差异

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 65
    左右 -141% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.1 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.7 left arrow 4.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 8500
    左右 2.51 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    6.1 left arrow 18.1
  • 写入速度，GB/s
    4.2 left arrow 15.7
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    985 left arrow 3589

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较

Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB RAM的比较

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
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Kingston 9965669-019.A00G 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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内存RAM