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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
65
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
33
读取速度,GB/s
6.1
16.4
写入速度,GB/s
4.2
11.3
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2919
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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