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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
65
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
28
读取速度,GB/s
6.1
14.1
写入速度,GB/s
4.2
10.9
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2931
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
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