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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
6.1
16.2
写入速度,GB/s
4.2
12.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2902
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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