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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
65
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
36
读取速度,GB/s
6.1
17.4
写入速度,GB/s
4.2
12.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3074
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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