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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
6.1
14.1
写入速度,GB/s
4.2
9.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2640
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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