Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

总分
star star star star star
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

总分
star star star star star
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    35 left arrow 65
    左右 -86% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.6 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 4.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 8500
    左右 3.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    65 left arrow 35
  • 读取速度,GB/s
    6.1 left arrow 17.6
  • 写入速度,GB/s
    4.2 left arrow 12.1
  • 内存带宽,mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    985 left arrow 3221
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较