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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
6.1
16.7
写入速度,GB/s
4.2
12.3
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2584
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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