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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
65
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
28
读取速度,GB/s
6.1
19.1
写入速度,GB/s
4.2
16.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3562
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
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