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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
28
读取速度,GB/s
9.4
15.8
写入速度,GB/s
6.7
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
2640
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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