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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
差异
规格
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差异
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
9.4
16.1
写入速度,GB/s
6.7
14.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
3416
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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