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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
54
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
35
读取速度,GB/s
9.4
15.0
写入速度,GB/s
6.7
12.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
2841
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
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