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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
13.8
11.9
写入速度,GB/s
8.2
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2585
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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