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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
76
左右 66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14200
左右 1.35 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
76
读取速度,GB/s
13.9
15.7
写入速度,GB/s
9.6
8.7
内存带宽,mbps
14200
19200
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
1809
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM的比较
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
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