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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14200
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
13.9
17.6
写入速度,GB/s
9.6
16.0
内存带宽,mbps
14200
17000
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
3478
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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