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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

总分
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

总分
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

差异 规格 评论

差异

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB 需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 48
    左右 46% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 8.3
    测试中的平均数值
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.5 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 14200
    左右 1.8 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 48
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 8.3
  • 内存带宽，mbps
    14200 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2558 left arrow 2196

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM的比较

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Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
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内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
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内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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