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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
14200
左右 1.8 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
41
读取速度,GB/s
13.9
16.2
写入速度,GB/s
9.6
11.7
内存带宽,mbps
14200
25600
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
2847
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
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