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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
27
读取速度,GB/s
14.4
19.4
写入速度,GB/s
9.4
16.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2267
3646
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
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