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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
比较
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
总分
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
24
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
22
读取速度,GB/s
14.4
16.5
写入速度,GB/s
9.4
12.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2267
2809
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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